随着多媒体、数字电视，可视通信等领域的热点增加，cmos图像传感器应用前景更加广阔，在实现小像素尺寸方面，cmos图像传感器取得了快速的进步，已有3.3 m 3.3 m像素尺寸的报道。采用0.25 m cmos工艺技术，将生产出高性能的cmos图像传感器，高性能cmos摄像机有希望短期内大量出现，彩色cmos摄像机在近两年内有望普及。目前已批量生产出了用于成像的cmos图像传感器。该器件已成为摄像机（黑白、彩色）、微型（或超微型）摄像机和数码相机的心脏。foven公司还研制出了具有世界上最高分辨率（1600万像素）的cmos图像传感器，这种图像传感器在分辨率和图像质量方面取得了重大突破。
foven研制的1600万像素图像传感器标志着ccd和cmos图像传感器在分辨率和质量两方面的飞跃。foven的1600万像素图像传感器的分辨率是以前发表的照相机cmos图像传感器的3倍，是当今低档消费数码相机中普遍使用的cmos图像传感器的50倍。
最新进展及发展趋势
1、低压驱动掩埋光电二极管型cmos图像传感器
cmos图像传感器在低照度下成像质量一直不如ccd，因而提高图像质量是cmos图像传感器开发的重点。东芝采用掩埋光电二极管新型结构，降低了漏泄电流，在低压下也能确保无电荷残余地完全读出，实现了与ccd摄像器件同等的高质量图像。
2、低噪声高画质cmos图像传感器
索尼采用独特的"drscan"噪声消除技术和抑制暗电流的"had"结构，成功地试制出低噪声高画质1/3英寸33万像素cmos图像传感器，并计划尽快实现商品化。
独特的"drscan"（dot sequential readout system with current amplified signal output noise reduction circuit）技术即是在逐点顺次读出每像素信号和噪声成分的同时，在同一电路中消除晶体管特性不均引起的固定图形噪声，这是以前逐行消除难以做到的。为了消除暗电流引起的固定图形噪声，还借鉴ccd的"had"（hole accumulation diode）结构。在传感器表面形成空穴积累层，从而抑制非入射光引起的暗电流。这两种固定图形噪声的降低，使s/n比提高了25倍，实现了cmos图像传感器的高画质。而且had结构中采用l形门的像素结构，使几乎所有的电子完全转移，实现了无拖影图像信号输出。
3、高灵敏度cmos图像传感器
日本nec公司采用0.35 m cmos工艺技术研制成功了具有双金属光电屏蔽和氮化硅（si3n4）抗反射膜的深p阱光电二极管结构的cmos-aps。为了改善器件的灵敏度，nec公司在研制中采用了深p阱，磷掺杂p型硅衬底，si3n4、抗反射膜、耗尽晶体管、双金属光电屏蔽等新技术。光入射到常规光电二极管和新型光电二极管的反射率，前者为20% 30%，后者小于10%。由于入射光反射率的降低，提高了器件的灵敏度。其性能参数为：光学尺寸为1/3英寸，像素数为658(h) 493(v)，像素尺寸为7.4 m(h) 7.4 m(v)，芯片尺寸为7.4mm 7.4mm，填充系数为20%，饱和信号为770mv。灵敏度为1090mv/lx.s-1（无微透镜），转换增益为30 v/e，动态范围为51db，暗电流为1.5fa/像素（25℃时），功耗为69mw，电源电压为3.3v。
4、轨对轨cmos-aps
美国photo vision systems公司2002年4月开发出一种高分辨率cmos图像传感器，它具有830万像素的分辨率（3840 2160），比高清晰度电视（hdtv）的分辨率高4倍，比标准电视的分辨率高32倍。该器件适用于数字电视，演播室广播，安全/生物测定学、科学分析和工业监视等应用场合。这种超高清晰度电视彩色摄像机可以最大30帧每秒的速度拍摄2500万像素的图像（渐进或隔行扫描）。同样，ibm公司也将这种传感器集成到一种具有9.2兆像素22.2英寸大小的液晶显示器中。该传感器使用了photon vision systems公司的cmos有源像素图像传感器技术，从而使该传感器的分辨率指标达到甚至超过ccd图像传感器。
5、单斜率模式cmos-aps
美国photon vision systems公司采用常规soi（silicon-on-insulator）cmos工艺研制成功了单斜率模式cmos-aps。像素数为64 64；像素尺寸为20 m(h) 15 m(v)；填充系数为50%；芯片尺寸为2mm 2mm；帧速为60帧/秒。该器件的单个像素由源跟随器、行选择晶体管n+-p二极管和复位晶体管等组成。另外我国香港科技大学采用2 msoi c
