新加坡大学电气工程学系副教授、新加坡国立数据记录研究所纳米自旋电子工程计划负责人yihong wu（吴义宏：音译）于2002年11月29日在东京举行的“asia nano 2002”的最后一天应邀以《carbon nanowalls and the associated nanostructures》为题发表了演讲。在此次演讲中，发表了相关研究数据，他表示：“我们对自己开发的碳纳米壁作为fed（场发射显示器）电极的特性进行了测试，结果要高于过去公开发表的纳米管的特性”。以比纳米管更低的电场强度即可产生电流，即使在真空度较低的环境中也能工作，吴向记者表示：“为生产低价位fed打开了通道”。
碳纳米壁是指吴等人于两年前开发的“壁状”纳米管（照片）。吴最近使用日本ulvac公司面向碳纳米管研究开发人员销售的cvd（化学气相沉淀）装置“cnt100”，在利用mpecvd（微波电浆辅助化学气象沉积）法改变底板材料、触媒、温度和腔内空气的同时，展开了纳米壁成长过程的基础研究。此次，为了验证纳米壁能否进行产业应用，将其作为fed电极材料进行了评测试验。
首先，在尺寸为1cm×1cm的铜底板上生长出用于特性测试的纳米壁。然后，将该底板作为阴极，中间空着50μm的间隔，与阳极的铜底板对着设置于腔内。将腔内的压力降低至1×10-5torr（约合1.33×10-3pa），一边提高电场强度，一边对由阴极发射出的电子的电流密度进行测定。试验温度分别是模拟室温的20℃，以及200℃、300℃和400℃。在20℃的试验中，开始发射电子的电场强度（起始电场）为0.32v/μm，此时测定到的电流密度为0.19ma/cm2。腔内温度分别为200℃、300℃和400℃时的起始电场分别为0.26 v/μm、0.20 v/μm和0.16 v/μm。吴表示，与在使用碳纳米管的试验中所发表的数值相比，这些起始电场在他所了解的范围内是最低的。另外，在400℃条件下，电场强度为0.32v/μm时的电流密度为17.6ma/cm2，这一数值比使用纳米管的试验中所发表的值都要高。
此外，吴还通过改变腔内的气体，对纳米壁所产生的电流的稳定性进行了评测试验。所使用的气体包括氮气（n2）、氢气（h2）、氧气（o2）以及沼气（ch4）。试验全部在室温下进行。分别事先各自在腔内充入气体，在3torr（约400pa）条件下保持10分钟。然后降低压力，连续地充入相同的气体，将压力保持在1×10-3torr（约0.133pa）下，对产生的电流进行了测定。结果，使用氧气和甲烷（ch4）时的电流值随着时间的流逝而急剧减少。尤其是充入氧气时，从开始测定仅仅过了15分钟，电流值就下降了26.5%。而使用氮气和氢气时的电流值的下降30分钟后仅仅分别为1.7%和1.8%。根据这一结果，吴表示：“纳米壁如果在腔内的气体成分上加以注意，即使在1×10-3torr的低真空条件下，也能够长时间地产生电流。这一结果表明将纳米壁作为电极的fed有可能以较低的成本进行生产”。
