晶体管的击穿现象：从晶体管的输出特性曲线可知，对于某一条输出特性曲线，当c-e之间电压增大到一定数值时，晶体管将产生击穿。
一次击穿：而且ib愈大，击穿电压愈低，称这种击穿为“一次击穿”。
二次击穿：晶体管一次击穿后，集电极电流会聚然增大，若不加以限制，则晶体管的工作点变化到临界点a时，工作点
将以高速从a点到b点，此时电流猛增，而管压降却减小，称“二次击穿”。如图所示。
晶体管经过二次击穿后，性能将明显下降，甚至造成永久性损坏。
二次击穿临界曲线：ib不同时二次击穿的临界点不同，将它们连接起来，便得到二次击穿临界曲线，简称s/b曲线。
击穿防止方法：在功放管c-e之间加稳压管，就可防止其一次击穿，并限制其集电极电流，就可避免二次击穿。
功放管的散热问题
功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值pcm。
而晶体管的耗散功率取决于管子内部的pn（主要是集电结）结温度。当其温度超过允许值后，集电极电流将急剧增大而烧坏管子。硅管的结温允许值为120~180°c，锗管的结温允许值为85°c左右。
耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。管子的功耗愈大，结温愈高。因而改善功放管的散热条件，可在同样的结温下提高集电极最大耗散功率pcm，也可提高输出功率。
在小功率放大电路中，放大管一般不加散热器。在大功率放大电路中，功放管一般均要加散热器。当散热器垂直或水平放置时，有利于通风，故散热效果好。散热器表面钝化涂黑利于热辐射。在产品手册中给出的最大集电极耗散功率是在指定散热器及一定环境温度下的允许值；若改善散热条件，如加大散热器、用电风扇强制风冷，则可获得更大一些的耗散功率。
