晶体管：（半导体分立器件）
半导体分立器件泛指半导体二极管，三级管以及半导体特殊器件。
特性参数：（二极管）
if正向直流电流：他定义为二极管低阻方向流过的电流，对整流管定义为，规定使用条件下载阻性负载的正旋半波整流电路中允许连续通过的最大工作电流平均值，对硅开关管，则规定为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
ifm正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
vf正向电压降：他定义为二极管通过额定电流时的电压降平均值。
最高反向工作电压：对硅整流管，为击穿电压的2/3，对硅堆，规定为正旋半波阻性负载电路中正常工作时所加的最大反向峰值电压值。对锗检波管，硅开关管规定为反向电流在极间产生的电压值。
击穿电压：对于发生软击穿的如,锗检波，开关管，是指在给给定的反向电流的极间电压值，对于硬击穿的整流开关管，则指反向特性曲线急剧转弯电的电压峰值。
特性参数：（三极管）
hfe共发射极直流放大系数：当集电极电压与电流为规定值时，ic与ib之比。
fhfe共发射极截止频率：定义为当hfe下降至1khz时的0.707（即3db）的频率。
f0特征频率：当频率足够高时，hfe将以每被频程下降6db的速度下降，ft定义为hfe=1的频率。
icbo发射极开路，集电极与基极电压为规定值时的集电极电流。
iceo基极开路，集电极与发射极电压为规定值时的集电极电流。
icm集电极的最大允许电流。
pcm集电极最大允许耗散功率。
vcbo发射极开路，集电极,基极的击穿电压。
vceo基极开路，集电极,发射极的击穿电压。
vebo集电极开路，发射机,基极的击穿电压。
晶体管的温度特性：
对二极管而言，正向电流一定时，正向压降随温度的升高而降低，室温时，温度升高1c,正向压降降低2-2.5mv反向漏电流则随温度按指数规律变化，温度升高1c,锗管增加10%，硅管增加为7%。
对三极管而言，受温度影响最大的参数包括：vbe,icbo,hfe.
其中，vbe以-(2-2.5)mv/c的速率线性变化，iceo在温度不很高时，按指数规律变化，每升高9-10c,增加一倍。hef随温度增加1c增加2%左右，总之，当温度升高时，都将使集电极电流增大。
半导体分立器件的型号命名方法：
1国标命名方法：（引自gb249-74,1975）
半导体器件有5部分组成
第一部分：用数字表示器件的电极数目。
2，二极管。
3，三极管
第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。
二极管：a,n锗材料，b,p锗材料，c,n硅材料，d,p硅材料，三极管：a,pnp锗材料，b,npn锗材料，c,pnp硅材料，d,npn硅材料，e,化合物材料。
第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。
p普通管，v微波管，w稳压管，c参量管，z整流管，l整流堆，s隧道管，n阻尼管，u光电管，x低频小功率，g高频小功率，d低频大功率，a高频大功率，t体效应管，b雪崩管，j阶跃恢复管，cs场效应管，bt半导体特殊器件，fh复合管，pin,pin管，jg激光管。
第四部分：用数字表示器件的序号。
第五部分：用汉语拼音表示规格号。
日本半导体器件的命名方法：
第一部分：用数字表示器件的电极数，0，光电管，1二极管，2三极管。。。
第二部分：s:已在日本电子工业协会（jeia）注册的标志。
第三部分：用字母表示材料的类型：a,pnp高频，b,pnp低频，c,npn高频，d,npn低频，f,p控制极可控硅，g,n控制极可控硅，h,n基极单结晶体管，j,p沟道场效应管，k,n沟道场效应管，m,双向可控硅。
第四部分：器件在jeia的登记号，性能相同，但不同厂家的产品可用同号。
第五部分：a,b,c,表示该型号是原型号的改进型号。
除以上基本符号外，有时还附有一些后缀，如：
m:表示器件符合日本海上自卫队参谋部有关标准。
n,(外加圈)符合日本广播协会标准。h,(外加圈)日立通信用，k,(外加圈)日立通信用，z,(外加圈)松下通信用g,(外加圈)东芝通信用s,(外加圈)三洋通信用。后缀的第二个字母通常表示hef分档标志。
美国半导体器件的命名方法：
美国半导体器件的命名比较混乱，这里介绍的是美国电子工业协会（eia）规定的晶体管分立器件的命名法。
第一部分:用符号表示用途和类别，jan,或j军用。无，民用。
第二部分：用数字表示pn结数，1，二极管，2，三极管。。。。
第三部分：美国电子工业协会（eia）注册标志,n
第四部分：美国电子工业协会（eia）登记序号。
第五部分：同型号的不同档别，a,b,c…
美国半导体器件的命名特点：
1除前缀以外，凡以1n,2n,3n开头的器
