磁阻式随机存储器（mram）将优于快闪记忆体（flash闪存）？飞思卡尔半导体正试图证明这一点。
根据消息，飞思卡尔半导体（前摩托罗拉公司芯片部门）周一宣布，它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为everspin科技的独立技术公司，侧重于研发制造mram（磁阻式随机存储器），其目的是为了“扩大mram及其相关产品的市场份额”。
mram与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上mram具有接近sram的高速读写能力，以及flash不挥发性的特性，在cell面积上也和dram比例相近，而重复读写次数和dram、sram相同，操作电压也近似，可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体，目前一些公司如三星、东芝、intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。
据悉飞思卡尔半导体将把mram的相关知识产权移交给everspin科技，而everspin的后盾则是风险投资公司例如venture partners、sigma partners、lux capital、draper fisher jurvetson和epic ventures等。分离后的everspin将负责推广mram同时作为一个主要的mram供应商存在，飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin提供的mram产品。
