everspin科技公司日前推出16mb mram， 进一步强化了该公司在mram领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及sram性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的mram技术。
everspin科技公司首席运营官saied tehrani表示：“everspin将持续快速扩展mram产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高mram产品的容量，并以极具成本效益的方式保持mram的独有特性。”
mr4a16b 是一款3.3v、并行i/o非挥发ram，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，mram还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(ser, soft error rate)。这款16mb mram由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步sram兼容。mr4a16b目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用sram设计的系统。
mr4a16b提供小尺寸48引脚球栅阵列(bga)封装和54引脚的薄形小尺寸(tsopii)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率sram产品和其它非挥发ram产品兼容。
新款16mb mram系列包括商业级(0°c至+70 °c)和工业级(-40°c至+85 °c)两种温度范围。现已可提供样品，并预计于2010年7月开始量产。
