恩智浦半导体（nxp semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新sige（硅锗）工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用sige：c技术的产品，其qubic4 sige：c工艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围，专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。
恩智浦目前已有10多种硅锗产品上市，采用其qubic4技术开发并售出的射频产品已超过2500万件。此销售业绩彰显了恩智浦qubic4工艺的技术成熟度以及行业对sige：c工艺实现gaas技术性能的认可度。
恩智浦创新的高性能sige：c qubic4工艺可以让无线设备制造商增加更多设备功能，同时更节省空间、更节约成本、性能更可靠以及制造更方便。qubic4技术加快了从gaas技术向硅芯片技术的转移速度，实现了高技术含量,低噪声特性和ip可用性。恩智浦提供了三种不同的qubic4工艺：qubic4+，针对小于5ghz应用的硅基工艺，如中功率放大器；qubic4x，一种0.25µm sige：c 工艺，大约6年前推出，常用于高达30ghz和极低噪声应用，如gps；以及最新推出的0.25µm qubic4xi sige：c工艺，特征频率（ft）超过200ghz，特别适合30ghz以上以及要求极低噪声系数的应用，例如vsat和雷达应用。
恩智浦的qubic4 sige：c技术拥有量产所需的完善ip和先进的内部制造工艺，可以提高整体射频性能，降低器件成本，同时提供比砷化镓(gaas) 技术更高和更灵活的性能。凭借超过45年在射频建模、设计和封装方面的丰富经验，恩智浦的qubic4技术将砷化镓(gaas)技术的高性能与硅基工艺的可靠度完善溶合在一起。随着高速数字数据传输和无线通信技术的持续发展，恩智浦的qubic4技术将推动传统的砷化镓(gaas)技术解决方案不断向前发展，实现更低成本、更高集成度和更多功能，同时满足低功耗需求。
基于qubic4技术的产品涵盖移动平台、个人导航设备、有源相控阵雷达、卫星dbs/-vsat、电子计量、软件无线电(sdr)技术、基站、点对点无线链路以及无线局域网wlan等广阔领域，这些都是高频和高集成度至关重要的领域。终端用户的受益之处则在于手机变得更小巧,更轻便而功能却不断增加。
上市时间
2010年底之前将有50多种采用 sige：c 工艺的恩智浦产品面市，其中十多种产品已经上市，包括gps低噪声放大器，如bgu7005；中等功率放大器，如bga7124 ；以及本振(lo)发生器，如tff1003hn。
其他40种新产品将在5月和年内陆续发布，包括全新的第6代和第7代宽带晶体管、低噪声放大器、中等功率放大器、可变增益放大器和本振(lo)发生器等。
