世界顶尖的低功率铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发及供应商ramtron international corporation 宣布其1兆位 (mb)、2.0v-3.6v 串行f-ram存储器 fm25v10-g，业已通过aec-q100 grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会 (automotive electronic council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前ramtron公司符合aec-q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。
fm25v10-g是ramtron公司v系列非易失性f-ram存储器的成员，具有2.0v至3.6v 的宽工作电压范围。它是1兆位串行spi器件，工作电流为3.0ma (40mhz下的idd)，采用工业标准8脚soic封装。fm25v10-g在40mhz 全总线速率下工作，具有无延迟 (nodelay™) 写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行eeprom 存储器的理想普适型 (drop-in) 替代产品。
关于f-ram v系列
ramtron公司v系列f-ram产品包括多种串行i2c存储器、串行spi存储器和并行存储器。v系列产品能够实现更好的技术规格和更多的功能集。串行v系列产品备有可选的独特的64位序列号，由一个16位客户id、一个40位制造序列号，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成，提供了更高的安全性。
ramtron 现提供符合 rohs 标准的8脚soic封装fm25v10-g器件，订购1万片fm25v10-g 或具有独特序列号器件 (fm25vn10-g)，起价分别为每片 5.05 美元和5.19美元。
