新款sot-23 mosfet 器件采用ir最新的中压硅技术，通过大幅降低90% rds(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
ir 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的sot-23 mosfet系列支持从 -30v至100v的宽电压范围，并提供不同水平的 rds(on) 和栅极电荷 (qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”
新器件达到第一级潮湿敏感度 (msl1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (rohs) 。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (international rectifier) 推出全新hexfet功率mosfet系列。该器件采用业界标准sot-23封装，具有超低导通电阻 (rds(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
