e/h (ta2n) qpl电阻适用于国防和航天应用的控制系统，这些应用需要考虑在潮湿条件下工作或长期的储存问题。器件的氮化钽电阻膜可确保耐潮水平超过mil-prf-55342限值的50倍。
e/h (ta2n) mil-prf-55342薄膜电阻具有不到-25db的极低噪声和0.5ppm/v的电压系数。电阻的卷绕式端接采用了一个粘性很强的粘合层，上面覆盖的电镀镍栅层可适应+150℃的工作条件，对典型电阻的影响小于0.010Ω。
新电阻采用01至12的m55342外形尺寸，功率等级为50mw～1000mw，工作电压为40v～200v，根据不同的容差，阻值范围为49.9Ω～3.3mΩ。
a2n) mil-prf-55342薄膜电容器现已量产，供货周期为八周到十周。
日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出通过qpl mil-prf-55342测试的新款表面贴装片式电阻---e/h (ta2n) qpl，保证可靠性达到100ppm的“m”级失效率。新的e/h (ta2n) qpl电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造，为国防和航天应用提供了增强的性能规格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的tcr。
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