irfhe4250d配备ir新一代硅技术，并采用了适合背面贴装的6×6 pqfn顶部外露纤薄封装，为电源拈带来更多封装选择。这款封装结合了出色的散热性能、低导通电阻 (rds(on)) 与栅极电荷 (qg)，提供卓越的功率密度和较低的开关损耗，从而缩减电路板尺寸，提升整体系统效率。
ir亚太区销售副总裁潘大伟表示：“高达60a额定值的irfhe4250d fastirfet mosfet是全球首款顶部外露电源拈器件，提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性能dc-dc应用。”
与ir的其它电源拈器件一样，irfhe4250d可与各种控制器或驱动器共同操作，以提供设计灵活性，同时以小的占位面积实现更高的电流、效率和频率，还为ir电源拈带来全新的6×6 pqfn封装选择。
irfhe4250d符合工业标准及第二级湿度敏感度 (msl2) 标准，并采用了6×6 pqfn顶部外露封装，备有符合电子产品有害物质管制规定 (rohs) 的环保物料清单。
irfhe4250d fastirfet双功率mosfet，藉以扩充电源拈组件系列。新款25v器件在25a的电流下能够比其它顶级的传统电源拈产品减少5%以上的功率损耗，适用于12v输入dc-dc同步降压应用，包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (ultrabook) 和笔记本电脑等。http://cmarch.51dzw.com/
