auirb24427s在整个温度范围内为每个通道提供超过6a的高输出电流，用于驱动采用拈和分立封装的大尺寸igbt和mosfet的栅极。由于该器件在开/关模式中的输出阻抗极低，功耗也非常低，因而可以在严苛环境和高温环境中操作，比如在混合动力电动汽车的电源级作为初级侧或次级侧驱动器。
ir亚太区销售副总裁潘大伟表示：“auirb24427s采用简便的psoic-8n封装，具有超低功耗的特点，可有效驱动用于大功率开关电源的大尺寸igbt和mosfet，与市场上现有的分立式解决方案相比，可提供更为小巧、简便而坚固的解决方案。”
auirb24427s 可用于耐热增强型psoic-8n封装，与标准的dil smd封装相比，它能提供更高的热耗散性能，便于在更高的环境温度里操作。另外，轨到轨输出级在高侧使用p沟道mosfet时，可以实现内部低压差以减少功耗。在环境温度为125℃时，auirb24427s 的最大源极/汲极输出电阻可以达到650mω。
车用大电流双低侧驱动ic auirb24427s，适合混合动力电动汽车 (hev) 、电动车 (ev) 和大功率工业转换器中的开关电源 (smps) 应用。http://zlc01.51dzw.com/
