东芝正在开发bicd[2]晶体管阵列tb62xxxa系列，以取代其双极晶体管阵列td62xxx系列。后者在一系列广泛的应用中使用，包括电机、继电器和led驱动。新一代系列产品将搭载采用最新的bicd工艺技术开发的dmos fet型输出驱动器。样品出货和量产计划于2015年6月启动。
相比现有的双极晶体管阵列，新产品将提供更快的切换速度并减少输入电流，同时有助于提高功率效率。
东芝供应双极晶体管阵列的历史已逾40年，且目前中压（约50v）td62xxx系列包含100多款装置。随着近来客户对金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）型阵列的需求超过双极阵列，东芝决定开始采用bicd工艺技术开发晶体管阵列，这项技术有望成为未来的标准。
东芝已从本月开始进行产品开发，并将于2015年6月启动新系列首款产品tb62003a的样品出货和量产。tb62003a是现有td62003a的升级版。随后，该公司计划每六个月推出tb62xxxa系列中的两款产品，累积将推出超过12款产品。
新系列的主要特性
工艺技术：130nm bicd（东芝的最新bicd工艺技术）
维持电压：50v，与现有的双极晶体管阵列相同
封装：与现有双极晶体管阵列的封装相同，均采用同样的引脚分配
输出电流：500ma（tb62003a：与现有产品相同）
功能：与现有产品相同
产品名称：“tb62xxxa系列”，由“td62xxxa系列”变更而来（命名规则还将改变）
注：
[1]双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管
[2]实现双极、cmos和dmos设备集成的工艺技术http://zlc01.51dzw.com/
