快速调谐振荡器是至关重要的许多系统，包括雷达模拟器和电子战（ew）平台。在现代的应用程序，这些源必须稳定在迅速一新的频率，而不会产生不想要的寄生信号的产品，不仅可以以牺牲性能以及任务的成功，在的ew系统的情况下。从phase matrix公司的dto- 12000-50m数字调谐振荡器（dto）提供了快速，稳定调谐频率从9至15 ghz的结合多个基频压控振荡器（vco）与可靠的数字电路和模拟创新电路技术。
该dto-12000-50m dto包三个独立的压控振荡器（vco）到其紧凑的外壳掩盖其宽调谐范围。来自每个振荡器的信号被发送到一个公共输出端口通过一个威尔金森功率组合装置，具有低噪声的gaas场效应晶体管（fet）缓冲放大器升压振荡器输出水平为最小的15 dbm的和最多19在整个调谐范围dbm的。缓冲放大器也确保振荡器输出端口和连接的负载之间的隔离。
该dto的三大vco的由12位并行数字调谐字的方式进行调整。调谐电压提供给压控振荡器是由存储的校准因子的装置中的电可擦除可编程只读存储器（eeprom）器件线性，供给高性能数模转换器（dac）。经数字线性带之一的线性的一例示于图。 3，一种带开关的解码器有助于根据所需调谐频率选择合适的vco，而在缓冲放大器的输出信号路径的检测器二极管用于提供状态指示。
虽然开关装置出现复杂，它导致了可靠的设计具有快速的开关速度，非常适合于雷达模拟器，ew平台，以及其他军事和航空航天应用。开关速度，这是只有4微秒以调谐在±2 mhz的新的频率的，在很大程度上要归功于以用于选择的vco之间的唯一淬火技术。部分开发的phase matrix公司的保罗•卡纳而振荡器设计师是在传说中的微波技术公司avantek在80年代后期，淬火电路结合了开关二极管用高频硅双极晶体管来实现高速开关三者间的压控振荡器。使用硅双极晶体管有助于提供快速建立时间的低相位噪声。
所述振荡器电路采用在双极晶体管的发射极电容反馈，从晶体管的集电极所采取的rf输出。硅变容二极管被连接到晶体管的基极。淬火电路包括耦合到所述晶体管在同一端口作为反应性反馈的pin二极管。它提供了用于选择性地施加偏压到淬火二极管。淬火电路选择性地转移流经振荡器晶体管以控制pin二极管电阻（以及振荡器的输出）的电流的一小部分。这个阻力是负责淬火振荡器电路，因此输出的信号的负阻。淬火二极管保持反向偏置时的振荡器上。
除了不同的vco之间的切换在一个多振荡器设计，这种类型的淬火电路可以用于控制振荡装置，的工作点，例如vco或一个介质谐振振荡器（dro），以控制输出功率的振荡器。这种局部淬火的方法也可以用来减少的振荡器的谐波水平。对于小于2-db的变化的振荡器的输出功率的损失，该谐波水平可以通过多达10分贝减少。通过使用调制信号，以控制淬火电流，此同一电路也能产生振荡器调幅（am）。
淬火电路表示一种实用的替代于使用multithrow开关来选择的多振荡器设计的输出。传统上，一个单刀三掷（sp3t）开关可能被用于从vco的三个一组的具有不同的调谐范围中进行选择。但是这种开关带来频率相关的插入损耗的设计，连同增加的成本。它也被限制在端口至端口隔离，缺乏通常需要以抑制不需要的振荡器的输出100分贝以上的隔离。微波淬火电路使得有可能把不同的振荡器和关闭在快速切换速度和不产生寄生信号作为振荡器切换它。http://szoskj.51dzw.com/
作为这方面的证据，在dto-12000-50m dto保持谐波水平至-20 dbc的或更少，具有的杂散电平在-90 dbc的或更少。相位噪声是-80 dbc的/赫兹偏移100khz的从载体。 dto中的淬火电路实现快速调谐没有令人不快的不稳定，保持posttuning漂移到1至50毫秒2兆赫以下的频率的开关，并从50毫秒到1秒以下频率的变化小于2兆赫。 dto的曲调中的2兆赫/ b灵敏度并且是相当宽容的困难负载条件下，具有优于12分贝输出回波损耗和通常只有14分贝。该dto-12000-50m设有10 mhz的最大拉力为12 db的回波损耗负荷和10 mhz的最高，具有±0.2 v电源的变化推动。振荡器是专为使用在操作温度为-50至+ 95℃和遭受最大频率漂移的100mhz的温度。它被指定为+14 vdc最大的正电源和-14 vdc最大负电源，500 ma（最大值）的电源电流，通常400毫安正电源电流。最大负电流消耗为50毫安。宽带dto尺寸仅为4.0×3.0×0.5了，这一小尺寸和坚固的振荡器宽的带宽，以及其快速的频率稳定时间，使其非常适合用于各种军事系统。
