3D堆叠式闪存-采用三级储存单元技术

新一代bics闪存，一个三维叠置电池结构闪存已经由东芝公布。它说，该公司是世界上第一个256gbit（32gbyte）48层bics设备。它部署了据称是业界领先的，需要3bit/单元（三电平单元，或tlc）技术。

存储器是基于一个48层的堆叠过程权利超越主流2d nand闪速存储器的容量，同时提高写入/擦除可靠性耐力和升压写入速度。这256gb装置适用于多种应用，包括消费者的ssd，智能电话，平板电脑和存储卡，以及企业的ssd的数据中心。http://tenghao123.51dzw.com/