三星电子公司生产的面向pc和it网络的存储器是业界首款10nm级8gb ddr4 dram芯片。
它们能够在it系统中实现最高的投资效率。三星电子公司存储器事业部总裁young-hyun jun说，公司还将为移动制造商推出新一代高密度10nm级移动dram产品。
8gb ddr4 dram将20nm 8gb ddr4 dram的晶圆生产率提升了30%以上，支持3,200mb/s数据传输速率，而其它20nm ddr4 dram的速率仅为2,400mbps。
模块的功耗也比采用20nm工艺的竞争产品低10~20%，从而提高了新一代高性能计算（hpc）系统和其他大型企业网络以及用于pc和主流服务器市场的产品的设计效率。
关键技术发展包括改进了专有单元设计技术、qpt（四重曝光技术）光刻和超薄介电层沉积。
不同于一个单元仅包含1个晶体管的nand闪存，每个dram单元都需要1个电容器和1个晶体管连接在一起，电容器通常被置于晶体管安装区域之上。http://fwddz.51dzw.com/
10nm级单元结构利用专有电路设计技术和四重曝光光刻技术开发而成。通过能够利用现有光刻设备的四重曝光，公司还为开发新一代10nm级dram打下了核心技术基础。
改进的介电层沉积技术还进一步提升了10nm级dram的性能。
