最新存储技术UFS3.0和LPDDR5

ufs3.0和lpddr5。据悉ufs 3.0,单通道带宽提升到将达到11.6gbps的峰值,理论上最大速度约2.9gb/s,相较于目前旗舰机普遍采用的ufs 2.1直接翻番。储存容量也会有128gb、256gb、512gb三种大小的存储容量。

而全新的lpddr5则能使传输速度最高达到6400mbps的峰值。相对于lpddr4,全新的lpddr5将是lpddr4的两倍。lpddr5还会引入了全新的wck时钟的双差分时钟系统,差分时钟能提高频率。lpddr5支持ecc功能,这样就能允许从传输错误或者存储电荷丢失中恢复数据。lpddr5降低功耗,这也是对移动设备更好的支持。

最新存储技术UFS3.0和LPDDR5

ufs3.0和lpddr5在实际应用中的表现三星已在2018年7月份推出业界首款10nm级8gb lpddr5,并完成8gb lpddr5(八颗8gb lpddr5封装)功能测试和验证,将在韩国平泽工厂量产,开始向lpddr5标准过渡。三星8gb lpddr5数据传输速率高达6400mbps,是目前旗舰手机中lpddr4x(4266mbps)的1.5倍。新的lpddr5每秒可以传送51.2gb的数据,相当于大约14个全高清视频文件(3.7gb/个)。此外,sk海力士也宣布成功开发1ynm 16gb ddr5,支持5200mbps的数据传输速率,比ddr4 3200mbps快约60%,功耗降低30%,每秒可处理41.6gb数据,预计将会在2020年大规模量产。与ddr4相比,ddr5具有超高速、高密度、低功耗等优势,适用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。

2018年3月jedec公布了ufs 3.0标准,全新ufs 3.0引入mipi m-phy v4.1物理层规范和mipi uniprosm v1.8传输层规范,单通道理论带宽提升到11.6gbps,传输速度是ufs 2.1的2倍,双通道最高达23.2gbps。ufs 3.0还可通过多通道继续提升传输带宽,在双通道和四通道配置下带宽分别可达到23.2gbps和46.4gbps。

此外,ufs 3.0使用2.5v vcc电压降低功耗,支持最新nand flash技术;温度范围也从-25至85度扩展为- 40度至105度,若在手机上实现商用,便可避免在极高、低温环境下,手机停止工作的情况;同时还符合车载汽车、监控、工业等领域对宽温的高要求。

最新存储技术UFS3.0和LPDDR5

新一代的ufs 3.0产品,容量将从128gb起跳,还提供256gb和512gb选择,预计到2019年将会有更多的存储厂商推出ufs3.0产品。三星曾表示,将在2019上半年可以在手机上用上ufs 3.0。市场预计三星将在2019年发布的galaxy s10有望搭配ufs3.0存储。ufs3.0和lpddr5什么时候能用ufs3.0我们有希望在2019年就在高端手机上搭载,而lpddr5则最少要等到2020年。

随着处理器性能的不断提升,存储性能在手机上的重要性逐渐凸显,三星、东芝、西部数据、sk海力士、美光等均加快布局下一代存储技术ufs3.0和lpddr5,并成为下一代高端旗舰智能机的亮点。

市场预计,在三星ufs 3.0技术推动下,三星旗舰机有望在高端手机上率先实现ufs3.0的商用。至于lpddr5,高通snapdragon 855仍然支持的是lpddr4x,而且lpddr5也要在2020年才会大规模的量产出货,预计高端手机搭载lpddr5要等到2020年才会实现。

随着高通的新一代旗舰处理器骁龙855正式亮相,联发科也宣布推出了首款5g基带芯片mtk helio m70。从目前的消息来看2019年三星、华为、oppo、vivo、小米、中兴、谷歌等手机将会在5g首发上分出胜负,随着5g的到来,也会促进智能手机性能的成长尤其是储存方面。

而最让我在意的便是三星在网络上说的最多的下一代存储技术ufs3.0和lpddr5。文章出自:数码无极限

  • 最新存储技术UFS3.0和LPDDR5已关闭评论
    A+
发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计