NTD80N02 :MOSFETN通道DPAK 高速开关应用设计

NTD80N02 :MOSFETN通道DPAK 高速开关应用设计

特征

•可提供无铅封装

典型应用

• 电源

•转换器

•动力马达控制

•桥接电路

最大额定值(tj = 25°c,除非另有说明)

漏极 - 源极电压vdss 24 vdc

栅极 -

总功耗@ tc = 25°c pd 75瓦

操作和存储

温度范围

tj,tstg -55到

150

单脉冲漏源到雪崩

能量 - 起始tj = 25°c

热阻

rθjc

rθja

rθja

1.65

67

120

°c / w

焊接的最高铅温度

用途,1/8“从表壳10秒钟

tl 260°c

最大额定值是超出设备损坏的值。

应用于设备的最大额定值是单

1.当使用1“焊盘尺寸表面安装到fr4板时,

(铜面积1.127 in2)。

2.使用建议的最小值将表面安装到fr4板上

焊盘尺寸,(cu面积0.412 in2)。

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计