G29923A DDR总线终端RAM(STR)功能

仅需20μf陶瓷输出电容

低输出偏移

3a源和灌电流

外部元件数量少

无需电感器

热关断保护

过流保护

挂起到ram(str)功能

高阻抗输出

sop-8(fd)封装

应用

ddr-sdram端接电压

 ddr i / ddr ii终端电压

sstl-18

sstl-2

sstl-3

输入电压范围(ddr i / ddr ii)vin 1.8 2.5 / 1.8 3.6 v.

控制电压范围(ddr i / ddr ii)vcntl --- 3.3 5.5 v

静态电流icntl iout = 0a --- 7501500μa

关断时的静态电流isd vref <0.2v --- 5090μa

电流限制ilimit 3 --- --- a.

热关断温度tts3.3v≤vcmtl≤5.5v--- 160 ---°c

热关断滞后thys --- 20 ---°c

关断高触发电平输出vih输出有效0.8 --- --- v.

关断低触发电平输出vil输出禁用--- --- 0.2 v.

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计