一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从to－3p到小型表面贴装都已形成系列。
一种是把igbt与fwd （fleewheeldiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化。mosfet由于实现一个较高的击穿电压bvdss需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率mosfet具有rds(on)数值高的特征，igbt消除了现有功率mosfet的这些主要缺点。虽然最新一代功率mosfet器件大幅度改进了rds(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比igbt 高出很多。
igbt较低的压降，转换成一个低vce(sat)的能力，以及igbt的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 igbt驱动器的原理图。为一个n 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， n+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。n+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。
在漏、源之间的p 型区（包括p+ 和p 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ subchannel region ）。而在漏区另一侧的p+ 区称为漏注入区（ drain injector ），它是igbt 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。igbt 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp 晶体管提供基极电流，使igbt 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使igbt 关断。
igbt 的驱动方法和mosfet 基本相同，只需控制输入极n一沟道mosfet ，所以具有高输入阻抗特性。当mosfet 的沟道形成后，从p+ 基极注入到n 一层的空穴（少子），对n 一层进行电导调制，减小n 一层的电阻，使igbt 在高电压时，也具有低的通态电压。
n沟型的 igbt工作是通过栅极－发射极间加阀值电压vth以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。
在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生
绝缘栅双极晶体管（insulate-gate bipolar transistor—igbt）综合了电力晶体管（giant transistor—gtr）和电力场效应晶体管（power mosfet）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；igbt也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
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