输出级使用配置为h桥的n沟道功率mosfet。
drv8801a-q1器件的峰值输出电流最高可达±2.8 a，
工作电压最高可达36 v.内部电荷泵可产生所需的栅极驱动电压。
采用16引脚wqfn封装，
带有可润湿的侧面和外露的导热垫（环保：rohs和无sb / br）。
特征
符合汽车应用要求
低导通电阻（0.83ω）输出
低功耗睡眠模式
100％pwm支持
6.5至36v工作电源 过流限制
保护功能
vbb欠压锁定（uvlo）
过流保护（ocp）
供应短缺保护
短路保护
过热警告（otw）
过温停机（ots）
引脚上指示过流和过温故障条件（nfault）
( 素材图片出自：texas instruments.权利归原作所有，特别感谢！)
