FCH023N65S3-F155-功率MOSFET

FCH023N65S3-F155:功率 MOSFET,高频开关电源与功率变换

本文档为型号 FCH023N65S3-F155 的器件说明资料,供研发选型与采购参考。该器件属于「芯片」类物料(存货编码 2010417),归类为「集成电路」。功率 MOSFET,高频开关电源与功率变换。以下内容基于型号命名规则与公开常识整理,具体技术参数以器件官方数据手册为准。

一、产品定位与封装概述

FCH023N65S3-F155 属于 ON Semiconductor 的产品线,功率 MOSFET,高频开关电源与功率变换。

型号字段说明:

  • F 系列为功率 MOSFET 产品线
  • 型号标识电压(65V 等)与电流/封装
  • F155 等后缀标识封装(TO-220 类)

库存与批次信息

以下为该型号在本库存系统中的在库记录(每行对应一条批次记录):

仓库

批号

数量

采购时间(年-月)

主计量

生产库

PS-2023-07-0176

10

2023-7

在库合计:10 个。

二、核心技术特性详解

1. 电气特性

  • 漏源耐压:典型 650V(依型号)
  • 导通电流:典型数十 A(依型号)
  • RDS(on):低(毫欧姆级)
  • 开关速度快

2. 低功耗与可靠性

  • 低开关损耗
  • SuperFET 工艺,雪崩耐量好

3. 封装与温度

  • 封装:TO-220/TO-247 类
  • 温度范围:-55°C ~ +150°C(结温)

注:以上指标为基于型号命名规则与同类器件公开资料的典型参考值,最终以厂商数据手册为准。

三、对标替代分析

维度

FCH023N65S3-F155

BU-61580S3-110K

耐压

参考典型值(以手册为准)

以官方资料为准

以官方资料为准

电流

参考典型值(以手册为准)

以官方资料为准

以官方资料为准

RDS(on)

参考典型值(以手册为准)

以官方资料为准

以官方资料为准

封装

参考典型值(以手册为准)

以官方资料为准

以官方资料为准

工艺

参考典型值(以手册为准)

以官方资料为准

以官方资料为准

说明:对标/备选型号为同类规格的可用参考,是否可直接替代请依据具体应用的功能与电气指标核对。

本型号的核心优势:

  1. 物料已有在库记录,采购渠道明确,可快速获取。
  2. 归类清晰(集成电路),便于按类别统一管理。
  3. 功率MOSFET类器件在选择上覆盖常见需求。

需要注意的方面:

  • 部分技术指标需结合官方数据手册与实测确认,避免仅凭型号推断。
  • 对标与备选型号需按具体应用逐一核对兼容性。

四、典型应用场景

  1. 开关电源
  2. PFC 电路
  3. 电机驱动
  4. 逆变器

五、面向采购与工程师的选型建议

  • 按耐压、电流与 RDS(on) 选型
  • 评估热设计

Layout 与使用注意:

  • 按照器件数据手册推荐的 PCB 布局与去耦/滤波要求设计。
  • 关注电源、地平面与热设计,保证可靠工作。
  • 批量上机前建议先做小批量验证(可焊性、电性能抽样)。

六、样品申请与技术咨询

如需 SP3232EEN-L/TR 样品、引脚兼容验证或批量报价,请联系:

资讯门户:news.eeany.cn

客服微信:eeanycn 或 扫一扫添加微信 微信二维码

七、结语

FCH023N65S3-F155 作为「芯片」类物料(集成电路),在系统中已有在库批次记录,可用于研发打样与生产备料。建议依据实际电路需求核对 功率MOSFET 的关键指标,并与吾方技术支持确认供货与参数详情后投入使用。

  • FCH023N65S3-F155-功率MOSFET已关闭评论
    A+
发布日期:2026年09月03日  所属分类:技术文库