MOS-1型功率场效应管测试仪
通过一年的努力一款新型的功率场效应管测试仪终于问世，它填补了国内在功率场效应管和IGBT测试方面的空白，
也体现了我几十年技术人生的经验与价值，在我60岁整，这个有历史纪念意义的岁月，把这台测试仪器提供给需要的朋友们。
我研究设计的MOS-1场效应管测试仪两年半后终于出来了一个仿制品
希望用户檫亮你们的眼睛 图片对比(点击)
一、概述
MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在
2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启
电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在
大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；
仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐
压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它
电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操
作简单、使用安全方便。
二、主要技术性能
1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 。
三、主要测试功能
1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。
4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。
四、测试盒与测试线
1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。
2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。
即使你使用的场效应管标称电流和功率远大于本仪器所定的100A/300W，本仪器同样可以在50A的条件下测试其跨导
Gfs参数及VDSS和VGS(th)两项电压参数。
测试实例
型号
击穿电压
Vdss
开启电压
Vgs(th)
跨导S
Gfs
Gfs
测试电流
标称电流
ID
标称功率
PD
封装
IRF640
基本参数
200V
2-4V
≥6.8
11A
18A
150W
TO-220
实测参数
225V
3.0V
12
11A
IRF1010
基本参数
60V
2-4V
≥69
50A
84A
200W
TO-220
实测参数
66V
3.2V
67
50A
IRF3205
基本参数
55V
2-4V
≥44
62A
110A
200W
TO-220
实测参数
60V
2.9V
68
60A
FQP70N08
基本参数
80V
2-4V
41
35A
70A
155W
TO-220
实测参数
86V
3.2V
46
35A
75NF75
基本参数
75V
2-4V
20
40A
80A
300W
TO-220
实测参数
81V
3.6V
52
40A
IRFP064
基本参数
55V
2-4V
≥42
59A
110A
200W
TO-3P
实测参数
67V
2.5V
57
60A
2SK1120
基本参数
1000V
2.5-5V
4
4A
8A
150W
TO-3P
实测参数
1086V
2.3V
5
4A
G160N60
基本参数
600V
3.5-6.5V
*
80A
160A
250W
TO-247
实测参数
626V
3.9V
35
60A
H40T120
基本参数
1200V
5-6.5V
21
40A
75A
270W
TO-247
实测参数
1390V
5.7V
20
40A
60N170D
基本参数
1700V
3.5-7.5V
60A
200W
TO-247
实测参数
1798V
4.8V
30
60A
以上是部分管子的实测数据，其中带黑底色的为IGBT管，不同的厂家其参数可能有较大差异，仅供参考。
购买方法
电话（传真）：0571-87292965 。手机：13600537912
TY-1型功率场效应管、IGBT、可控硅、二极管通态压降测试仪
