场效应管放大电路
1.场效应管的小信号模型
已知场效应管输出特性表达式：
求全微分:
其中： 低频跨导可从输出曲线上求出
aaaa a 漏极与源极间等效电阻
一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型:
2. 共源极放大电路
以NMOS增强型场效应管为例
三极管与场效应管三种组态对照表：
电路组成
比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。
图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFETMOSFET的直流通道和交流通道是一样的。
直流分析
直流分析：
VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)
VGS= VG－VS= VG－IDR
ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2
VDS= VDD－ID(Rd+R)
解出VGS、ID和VDS。
直流通路
