IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
基本参数
电压 Vgs @ Rds on 测量：10V
电压， Vds 典型值：55V
电流， Id 连续：110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET极性： N型沟道
最大额定参数
热阻特性
电气特性
1.反复级别：脉宽小于最大值。结点温度为。（看 图1）。
2.开始时 TJ=25℃，L=138uH RG=25Ω，IAS=62A.（看图2）。
3.ISD≤62A，di/dt≤207A/us，VDD≤（BR）DSS，TJ≤℃。
4.脉宽≤400us;duty cycle≤2%. ○
5.适当的连续电流取决于允许结点温度。包装极限温度为75A。
6.在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值。
7.这个适当的极限值为TJ=175℃。 *当裱装在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）。 被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记 #AN-994。
图1最大有效的热敏阻抗，结点到器件
图2最大的雪崩能量Vs 漏极电流
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