场效应管irf3205基本参数_irf3205电性参数

IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

基本参数

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:55V

电流, Id 连续:110A

Qg Typ: 97.3 nC

FET极性: N型沟道

最大额定参数

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热阻特性

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电气特性

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场效应管irf3205基本参数_irf3205电性参数
 

1.反复级别:脉宽小于最大值。结点温度为。(看 图1)。

2.开始时 TJ=25℃,L=138uH RG=25Ω,IAS=62A.(看图2)。

3.ISD≤62A,di/dt≤207A/us,VDD≤(BR)DSS,TJ≤℃。

4.脉宽≤400us;duty cycle≤2%. ○

5.适当的连续电流取决于允许结点温度。包装极限温度为75A。

6.在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值。

7.这个适当的极限值为TJ=175℃。 *当裱装在1″平方PCB(FR-4 or G-1- Material )。 被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记 #AN-994。

场效应管irf3205基本参数_irf3205电性参数

图1最大有效的热敏阻抗,结点到器件

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图2最大的雪崩能量Vs 漏极电流


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发布日期:2019年07月13日  所属分类:电子百科