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LED灯的分类

LED灯的分类
1． LED灯按发光管发光颜色分
       按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
       根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2． LED灯按发光管出光面特征分
       按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。
       由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。
       从发光强度角分布图来分有三类：
（1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
（2）标准型。通常作指示灯用，其半值角为20°～45°。
（3）散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为45°～90°或更大，散射剂的量较大。
3．按发光二极管的结构分
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4．按发光强度和工作电流分
       按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED（发光强度100mcd）；把发光强度在10～100mcd间的叫高亮度发光二极管。一般LED的工作电流在十几mA至几十mA，而低电流LED的工作电流在2mA以下（亮度与普通发光管相同）。
        除上述分类方法外，还有按芯片材料分类及按功能分类的方法

led芯片分类
1.MB芯片定义与特点

定义﹕
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品

特点﹕
1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底﹐散热容易.

Thermal ConducTIvity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4、底部金属反射层﹐有利于光度的提升及散热
     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB

2.GB芯片定义和特点

定义﹕
       GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
         1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底.
         2﹕芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图
         3﹕亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)
         4﹕双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

3.TS芯片定义和特点

定义﹕
TS 芯片﹕ transparent structure(透明衬底)芯片﹐该芯片属于HP 的专利产品。

特点﹕
    1.芯片工艺制作复杂﹐远高于AS LED
    2. 信赖性卓越
    3.透明的GaP衬底﹐不吸收光﹐亮度高
    4.应用广泛

4.AS芯片定义与特点

定义﹕
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力﹐台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段﹐各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平﹐差距不大.
大陆芯片制造业起步较晚﹐其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距﹐在这里我们所谈的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特点﹕
    1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工艺制备﹐亮度相对于常规芯片要亮
    2. 信赖性优良
    3. 应用广泛

发光二极管芯片材料磊晶种类

1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs

6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

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