最近几年发光二极管的发光效率提升，加上蓝光与绿光发光二极管的实用化，如图1所示，发光二极管已经成为交通号志灯、汽车尾部组合灯(Rear combinaTIon lamp)、液晶显示器用背光照明模块，各种显示与照明的主要光源，持续拓展应用范围。
接着本文要介绍可以减低发光二极管基板的光损失，设有金属反射膜层、高辉度、发光效率是传统结构发光二极管的4倍、48 lm/W的AlGaInP 4元红光发光二极管的发光效率提升手法，以及金属反射膜发光二极管(MR-LED)的电气光学等各种特性。
发展历程
传统红光发光二极管用半导体晶圆，除了AlGaAs磊晶硅晶圆 (Epitaxial wafer) 之外，AlGaInP磊晶硅晶圆已经商品化。
若在AlGaInP磊晶硅晶圆表面，制作电极再切割成晶粒状(Die)，就可以制成发光二极管芯片，不过传统结构发光二极管受到底部基板的影响，光吸收损失非常大，一般认为12 lm/W得发光效率是红光发光二极管的最大极限。
有鉴于此研究人员在发光二极管组件内部设置金属反射膜(MR: Metal Reflector)，开发全新结构的红光发光二极管，达成发光效率48 lm/W，比传统结构提高4倍的高效率化宿愿。
金属反射膜LED的发光效率提升手法
如图2(a)所示传统发光二极管光源，利用注入半导体固态组件发光材料(发光层)的电子与正孔再结合获得的能量产生光线，该电气光线转换效率，以低缺陷AlGaInP结晶而言，大约可以达成70%以上的效率，材料上的特性提升可算是相当充分。
如图2(a)所示，芯片产生的光线会在半导体内部传递，接着透过发光二极管组件表面取至组件外部领域，该取光效率单纯的红光发光二极管结构，大约只有10%左右，为有效提高红光发光二极管的发光效率，必需透过发光二极管的结构设计与制程改善，提升表面穿透率与接口反射率。
红光发光二极管是在GaAs单结晶基板上，使用格子整合3元混晶AlGaAs或是AlGaInP4元混晶发光层，将GaAs单结晶基板当作发光组件，底部支撑基板使用的发光二极管。由于GaAs具备吸收红光物性，因此又称作受质基板型(AS Type: Absorbing Substrate Type)。
如图3(a)所示当初开发受质基板 (AS Type) 时，在GaAs基板上方制作发光层，由于该结构的组件表面，反射的光线与朝基板侧的光线全部被基板吸收，因此只能达成8 lm/W低电气光线转换效率。
虽然受质基板的开发，主要目的是提升发光效率，如图3(b)所示，受质基板型基本上属于半导体多层反射膜(DBR: Distributed Bragg Reflector)插入型，该结构利用半导体多层反射膜，使朝基板侧的光线反射，达成12 lm/W的电气光线转换效率。
然而半导体多层反射膜 (DBR)，具有斜方向光线不易反射的结构性缺陷，因此朝各方向放射的发光二极管光线，不会朝基板侧传递，结构上受到很大的限制。
为提高红光发光二极管的发光效率，研究人员深入检讨可以使斜向入射至基板的光线完全反射的结构，开发图3(c)所示，使用金属薄膜的反射结构除了垂直方向之外，对斜向入射的光线，同样具备高反射特性的金属反射膜发光二极管 (MR-LED)。
金属反射膜发光二极管 (MR-LED)，不易同时具备发光层、金属反射膜反射率与低电气阻抗特性，而且无法在金属反射膜上制作低缺陷的发光层，因此研究人员针对同时具备反射率与低电气阻抗问题，透过组件结构的设计进行对策，发光层的缺陷问题则透过基板贴换技术，使用与GaAs单结晶基板上结晶同等级的低缺陷AlGaInP发光层。
