本文主要是关于大功率三极管的相关介绍，并着重对大功率三极管的符号及其含义进行了详尽的阐述。
大功率三极管的符号大全及含义介绍
1、按功率分：小功率：功率在1W以下中功率：1-10W；大功率：10W以上。2、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三极管的分类
a;按频率分：高频管和低频管
b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管
c;按机构分：PNP管和NPN管
d;按材质分：硅管和锗管
e;按功能分：开关管和放大
三极管的主要技术指标
电流放大系数β
电流放大系数是电流放大倍数，用来表示三极管的放大能力。根据三极管工作状态不同，电流放大系数又分为直流放大系数和交流放大系数。
直流放大系数是指在静态无输人变化信号时，三极管集电极电流IC和基极电流IB的比值，故又称为直流放大倍数或静态放大系数，一般用hFE或β表示。
交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，三极管集电极电流变化量与基极电流变化量的比值，一般用β′表示。β′是反映三极管放大能力的重要指标。
尽管β和β′的含义不同，但在小信号下β≈β′，因此在计算时两者取相同值。
2.耗散功率PCM
耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。使用三极管时，三极管实际功耗不允许超过PCM，否则会造成三极管因过载而损坏。
3.频率特性
三极管的电流放大系数与工作频率有关，如果三极管超过了工作频率范围，则会造成放大能力降低甚至失去放大作用。
三极管的频率特性参数包括特征频率fT和最高振荡频率fM。
（1）特征频率fT：三极管的工作频率超过截止频率时，其电流放大系数β将随着频率的升高而下降。特征频率是指β降为1时三极管的工作频率。
（2）最高振荡频率fM：最高振荡频率是指三极管的功率增益降为1时所对应的频率。
4.集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指三极管集电极所允许通过的最大电流。集电极电流IC上升会导致三极管的β下降，当β下降到正常值的2/3时，集电极电流即为ICM。
5.最大反向电压
最大反向电压指三极管在工作时所允许加的最高工作电压。最大反向电压包括集电极一发射极反向击穿电压UCEO、集电极一基极反向击穿电压UCBO及发射极—基极反向击穿电压UEBO.
6.反向电流
三极管的反向电流包括集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向电流ICEO.
三极管性能的简易测量
（1） 用万用表电阻档测ICEO和
基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e（PNP管相反），此时c、e间电阻值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。 用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明 b值大。
（2） 用万用表hFE档测 b
有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数 b，若 b 很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。
半导体三极管的选用
选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。 低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3~10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。
一般希望b选大一些，但也不是越大越好。b太高了容易引起自激振荡，何况一般b高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常b多选40~100之间，但低噪声高b值的管子（如1815、9011~9015等），b值达数百时温度稳定性仍较好。另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择b。例如前级用b高的，后级就可以用b较低的管子；反之，前级用 b 较低的，后级就可以用b较高的管子。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。 对高频放大、中频放大、振荡器等电路用的晶体管，应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管，以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性。
半导体光敏器件——光敏三极管
光敏三极管在原理上类似于晶体管，只是它的集电结为光敏二极管结构。它的等效电路见图T313。由于基极电流可由光敏二极管提供，故一般没有基极外引线（有基极外引线的产品便于调整静态工作点）。 如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压，使集电结反偏，则在无光照时，c、e 间只有漏电流ICEO，称为暗电流，大小约为0.3 μA。有光照时将产生光电流IB，同时IB被“放大”形成集电极电流IC，大小在几百微安到几毫安之间。 光敏三极管的输出特性和晶体管类似，只是用入射光的照度来代替晶体管输出特性曲线中的IB。光敏三极管制成达林顿形式时，可获得很大的输出电流而能直接驱动某些继电器。 光敏三极管的缺点是响应速度（约5 ~ 10 ms）比光敏二极管（几百毫微秒）慢，转换线性差，在低照度或高照度时，光电流放大系数 值变小。
使用光敏三极管时，除了管子实际运行时的电参数不能超限外，还应考虑入射光的强度是否恰当，其光谱范围是否合适。过强的入射光将使管芯的温度上升，影响工作的稳定性，不合光谱的入射光，将得不到所希望的光电流。例如：硅光敏三极管的光谱响应范围为0.4 ~ 1.1 mm波长的光波，若用荧光灯作光源，结果就很不理想。 另外，在实际选用光敏三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管；如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光敏三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流必须小于0.1 nA。光敏三极管的基本应用电路见图T314 ，几种国产光敏三极管的参数见表B317。
表B317 部分国产光敏三极管的参数
结语
关于大功率三极管的符号及其含义的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。
