Process flexibility工艺灵活性
反应离子刻蚀机 SI 591系列兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺。
Small footprint and high modularity设备小型化和高度模块化
Si591系列可设置为单腔系统或带盒式装片的多腔系统。
SENTECH control software SENTECH控制软件
控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理。
SI 591的真空装载片装置和完全由计算机控制工艺条件的软件系统，使其具优良的工艺重复性。灵活、模块化和小型化是SI591系统的设计特点，最大能容纳200mm（8吋）的样品或载片盘。
SI591系统通过不同选件可实现穿墙安装或最小占地面积。
大观察窗位于上电极顶部，反应器能方便的容纳SENTECH激光干涉仪或者OES、RGA系统。用SENTECH椭偏仪可以在设备上通过椭偏仪端口进行在线工艺监控。
SI591系统沿承了RIE的平行板电极设计优势，刻蚀过程全部由计算机控制，可以进行多种材料的刻蚀。SENTECH还可提供多种自动化配置，从真空盒式装片到最多六个端口的沉积刻蚀多腔系统，用以提高设备的灵活性和产能。SI591也可以作为多腔系统的模块组成部分。
SI 591 compact
• RIE plasma etcher with small footprint
• Loadlock
• Halogen and fluorine chemistry
• For up to 200 mm wafers
• Diagnostic windows for laser interferometer and OES
SI591 Cluster
• Configurations of up to 6-port transfer chamber available
• Combination of RIE, ICP-RIE, and PECVD
• Manual vacuum loadlock or cassette station
• Cluster for R & D and high throughput
• SENTECH control software
SENTECH SI 591-12 增加一路气体管路，带MFC质量流量计
SENTECH SI 591-12C 增加一路气体管路，带旁路，用于腐蚀气体，带MFC质量流量计
SENTECH SI 591-14 反应腔体加热（外部）
SENTECH SI 591-R 过墙安装，真空室内只保存锁存进样装置
SENTECH SI 591-16 温度控制衬底电极，4"直径，电加热20-80°C
SENTECH SI 591 CS CS化学尾气处理，25升，
SENTECH SI 591-Nanomes 激光反射干涉式终点探测器，也可用于刻蚀深度测量
SENTECH SI 591 XY 马达驱动，远程X-Y准直，也适用于过墙安装
SENTECH SI 591 OES 光谱发射式终点探测器，适用于界面切换
SENTECH SI 591 RS 远距离服务支持功能
SENTECH SI 500 NanoMes 激光反射干涉式终点探测器，也可用于刻蚀深度测量
SENTECH SI 591-UK 恒温水循环器，温度范围5℃-40℃
