Low damage for nano structuring 纳米结构低损伤刻蚀
由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。
Simple high rate etching 简单高速率刻蚀
MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。
Inhouse ICP plasma source 内置ICP等离子源
平板三螺旋天线（PTSA）等离子源是SENTECH独有的高端等离子工艺系统。PTSA能产生高密度低能量分布的等离子体。在多种材料刻蚀工艺中都能实现高效率耦合及稳定起辉
Dynamic temperature control 动态温控
衬底温度设定和工艺过程中的稳定性是影响刻蚀工艺质量的重要因素。ICP衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控，工艺温度范围为-150 °C 至 +400 °C。
SI500代表着研发和生产领域ICP工艺的领先水平。它具有 基于动态温控背电极、平板三螺旋天线等离子源和全自动控制的真空系统，SENTECH控制软件应用远程控制总线技术的以及友好的用户界面。SI500可以进行最大200mm的晶圆片刻蚀。单片真空装片装置保证了工艺稳定性，同时保证工艺可以灵活切换。
SI500刻蚀机可以实现多种材料的刻蚀，包括III-V族化合物半导体，电介质，石英，玻璃，硅、硅化物和金属。
SENTECH面向高灵活性和高产能的刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置，从预真空系统到最大6端口的多工艺腔室装置。SI500可以作为多腔室工艺模块。
型号：SI500
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For up to 200 mm wafers
Substrate temperature from -20 °C to 300 °C
型号：SI500C
Cryogenic ICP plasma etcher
With transfer chamber and vacuum loadlock
Substrate temperature from -150 °C to 400 °C
型号：SI500-RIE
RIE plasma etcher
Smart solution for He backside cooled etching
Capacitive coupled plasma source,
upgradable to ICP plasma source PTSA 200
型号：SI500-300
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For 300 mm wafers
SENTECH SI 500 RS 远距离服务支持功能
SENTECH SI 500 FT 光纤温度测量传感器
SENTECH SI 500 WSiO2 石英窗口备件，用于PTSA源
SENTECH SI 500 WAI2O3 陶瓷窗口备件,用于PTSA源
SENTECH SI 500 IW 在线监控窗口，用于 PTSA source
SENTECH SI 500 MAG magnet liner for PTSA source
SENTECH SI 500 UK circulator thermostat 冷水机
SENTECH SI 500-C UK circulator thermostat 冷水机
SENTECH SI 500 DP 干泵代替旋片泵
SENTECH SI 500 12 一路非腐蚀气体管路
SENTECH SI 500 12C 腐蚀气体管路
SENTECH SI 500 R 过墙安装，真空室内只保存锁存进样装置
SENTECH SI 500 XY 马达驱动，远程X-Y准直，也适用于过墙安装
SENTECH SI 500 DR spacer ring to increase distance between PTSA source and substr
SENTECH SI 500 14 反应腔体加热（外部）
SENTECH SI 500 OES 光谱发射式终点探测器，适用于界面切换
SENTECH SI 500 -12 一路非腐蚀气体管路，带质量流量计
SENTECH SI 500 -12C 一路腐蚀气体管路，带质量流量计
SENTECH SI 500 NanoMes 激光反射干涉式终点探测器，也可用于刻蚀深度测量
SENTECH SI 500-DDP 干泵代替标准配置中机械泵
SENTECH SI 591-UK 恒温水循环器，温度范围5℃-40℃
