两种二极管都是单向导电，可 用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最 后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关 电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结 型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
前者 反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电 压场合。 这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：
肖特基二极管与普通二极管都是单向导电，可用于整流电路中。
肖特基二极管与普通二极管的区别主要是普通二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁；
肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同 时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
普通二极管伏安特性和肖特基二极管电压电流特性
普通二极管的伏安特性如下图：
1、普通二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系统的效率。
2、肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。
3、肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。
4、二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。普通二极管的反向恢复时间大约是数百nS，若是高速二极管则会低于一百nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于普通二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
下面为肖特基二极管：
