韩国海力士半导体公司（hynix semiconductor inc.）首款融合式内存产品“doc（disk on chip）h3”正式开始量产。该公司宣布计划到2010年实现融合式内存的累计销售额达10亿美元，表示正式将融合式内存投放市场。韩国三星电子也将以其融合式内存“one nand”等争夺市场。
海力士的doc产品将nand型闪存、dram和控制器lsi融合到1个封装中。写入和读出速度分别是最大167mb/秒和11mb/秒，在手机中使用时的驱动性能优异。管理闪存的全部系统都配置在芯片中，可以独立于主机进行控制。可根据需要通过添加软件来减小微处理器的负担，使耗电量降至最低。
另外，该产品不仅支持目前手机常用的高速slc（1bit/单元产品），也可以支持易于实现大容量化的mlc（2bit/单元产品），因此可以形成多种容量的产品群。由于该产品以nand型闪存为基础、拥有nor型闪存接口，因此有望取代移动设备和数码家电用的nor型闪存。目前主要手机厂商的认
证工作已经完成。
