富士通于4月4日在东京市召开了面向日本媒体的“电子元件业务战略”说明会。到去年为止都是小野敏彦（现任副社长）到会说明,今年是藤井滋（常务经营执行董事电子元件业务部部长兼电子元件业务本部部长）进行了说明。
在上次说明会上，由于该公司大力发展的逻辑lsi业务业绩良好，发言大多清晰明朗。而此次，受到该业务低迷的影响，内容大多是对现状的分析，没有涉及新的战略。藤井表示，受到电子部件业务的带动，2006年度的电子元件业务预计最终将实现盈利。lsi业务则可能出现赤字。同时表示，“在2007年使lsi业务扭亏为盈是我目前的任务”。
lsi业务之所以陷入低迷，原因是该公司的核心业务——使用130nm以前工艺的微控制器及普及价位的模拟assp需求大幅低于预期。藤井表示，仅保留少数大客户的做法适得其反。数字家电、手机领域都有多家客户在进行生产调整，致使核心业务的销售额停滞不前。为此，“富士通今后将再努力增加一些客户数量”（藤井）。
但是，日本国内对普及价位设备用lsi的需求很难出现反弹。正如藤井所说，在此之前，开发此类lsi作为asic的日本设备厂商为数众多。但是最近，越来越多的日本厂商不仅不再开发asic，还开始从亚洲的ems厂商和odm厂商采购底板和系统。“如何使这些亚洲的ems及odm厂商购买芯片，是目前富士通面临的重大课题”。
富士通在2007年1月举行的2006年度第3季度结算发布会上（参阅本站报道）宣布lsi业务的亏损高达100亿日元，并明确表示将重新对2007年度的半导体设备投资进行研究。此次说明会透露了小部分具体设备投资计划。比方说，该公司将根据需要，推迟对4月1日投产的三重工厂300mm晶圆二厂的65nm生产线进行设备强化。
此次说明会还介绍了富士通将在45nm及32nm工艺上采取的措施。45nm目前处于研究开发阶段，量产准备完成的具体时间尚未确定。但采取的战略仍将与90nm和65nm工艺相同。藤井表示，富士通没有开发90nm和65nm的通用工艺，“而是开发了专门的超高速工艺和超节能工艺。开发的进展非常顺利。45nm还将延续这一做法”（藤井）。32nm方面，“目前正在较小的成本范围内进行研究”。
设计方面，“一次设计完成”的数量得到了大幅度增加。继小野在上次说明会上介绍的“一次设计完成66枚芯片”之后，此次“一次设计完成的芯片达到了280枚”（藤井），数量大幅提升。此外，该公司还“利用11个月的时间开发了超过1000万栅门的摄像机用soc，并与软件一次性完成”(藤井）。基于uml的“cedar”所带来的设计品质提高，为一次设计的实现做出了贡献。
