英特尔称将投资10亿～15亿美元改建其设在新墨西哥州riorancho市的芯片制造厂，以生产采用45纳米制造工艺的芯片。英特尔表示，此举既是为了满足全球芯片需求，也是为了与宿敌amd竞争。
这家工厂将成为英特尔第四家计划采用45纳米工艺的工厂。英特尔说，该工厂已经运营了27年，自2002年10月开始生产90纳米芯片，计划将于明年下半年开始生产45纳米芯片。
英特尔与以amd为代表的竞争对手争相采用效率最高的技术生产芯片。近日，英特尔宣布开发出可以在芯片上容纳更多45纳米晶体管的材料。几乎就在同时，amd和ibm也表示它们正在合作开发类似的技术。英特尔的新工厂将使它在与amd的竞争中领先一步。
英特尔表示，第一批45纳米产品将由地处俄勒冈的名为d1d的芯片制造工厂生产。英特尔还正在建设两家新的45纳米工艺的芯片厂：在亚利桑那州chandler市投资30亿美元建设的工厂将于今年下半年开始生产芯片，设在以色列的投资35亿美元的工厂将于明年上半年开始生产。
据了解，英特尔代号为“penryn”的下一代45纳米系列产品的早期版本已经能够运行多个操作系统和应用，英特尔称将如期于今年下半年开始生产45纳米芯片。
