美国英特尔将在07年第1季度内供应90nmpram（相变内存）评测样品。该公司闪存产品部门的首席技术官eddoller在《日经微器件》主办的“第5届半导体内存研讨会”（1月30～31日）上做出了上述表示。
首先供应nor型闪存用户
pram的评测用样品将首先供应手机等采用的nor型闪存的用户。“作为45nm工艺而言，pram将在单元尺寸等方面,比现行的nor型闪存拥有更优越的成本竞争力”(eddoller)。
不过，该公司表示并不是为取代nor型闪存才进行pram开发的。“对于集nor型闪存、nand型闪存、挥发性高速ram等所有特点于一身的pram，找到其自身的应用领域，是投产的前提条件”。因此，涉足nor型闪存业务的英特尔将首先向易于合作的nor型闪存用户提供pram样品，以便及时获取用户的反馈信息。
英特尔自2000年开始与美国ovonyx共同致力于pram的开发，03年把意法半导体纳入pram开发合作企业。关于pram的性能，目前已经证实其擦写次数在108以上、数据保存时间为10年以上（85℃时）。
