据国外媒体报道，三星公司宣布，公司目前正在生产采用50纳米技术的16gbnand闪存的样品。
首批生产的样品将采用4kb页的多层单元设计(mlc)。三星公司称，4kb页功能的数据读取速度是常规2kb页系统mlcnand闪存的两倍，同时还将写入速度提高了150%。
三星计划在今年第一季度开始大规模量产16gbnand闪存。
2006年9月三星曾宣布，公司已开发出了基于40微米技术制造的32gbnand闪存设备。该内存整合了chargetrap闪存架构（ctf)，这种新工艺在改善产品性能的同时还有效地提高了产能。
三星公司表示，高密度闪存的生产将加速非挥发性内存应用的普及，比如采用闪存制造的固体盘。三星在去年三月开始向市场提供32gbnand闪存型固体盘（ssd)，三星预测说，到2010年，闪存型驱动器的市场销售额将增至45亿美元。
研究公司in-stat的预测表明，到2013年，笔记本电脑储存设备的ssd市场份额将达到50%。
