飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)推出业界封装最小的p沟道mosfet器件fdz191p，可为各种低压(<20v)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、mp3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。
飞兆半导体的fdz191p器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率mosfet。fdz191p作为powertrenchmosfet，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(wl-csp)，因而具有出色的热阻(83℃/w)和低rds(on)(4.5v时为67mω)。fdz191p具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。fdz191p还能够工作于1.5v的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，fdz191p还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和rohs标准。
fdz191p的主要优点包括：
超小的封装和高度——仅占用1.5mm2的印刷线路板面积，当安装在印刷线路板上时，fdz191p的高度不超过0.65mm，因此适用于各种高密度应用；
出色的热性能和电气性能——fdz191p提供优良的散热特性(安装在1"x1"铜焊盘上时，thja=83℃/w)。它还可满足便携式产品的功率管理设计要求(vgs=4.5v时典型的rds(on)为67mω，vgs=2.5v时rds(on)为85mω)；
高功率和大电流处理能力——安装在1"x1"铜焊盘上时，fdz191p有助于实现1.5w的功率耗散(pd)和3a的连续漏极电流(id)；
满足rohs/绿色标准要求——fdz191p能达致国际性的rohs标准和绿色标准。
这些无铅器件能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。fdz191p器件已有现货供应，交货期限为收到订单后12周内。
