安森美半导体(onsemiconductor)宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(vce(sat))双极结晶体管(bjt)产品系列至wdfn6、wdfn3、sot-23、sot-563和chipfet的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统bjt或者平板mosfet相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的选择。
新型低vce(sat)表面贴装器件是特别针对低电压，高速转换应用设计而成，其中电源效率控制至关重要。其特征为超低vce(sat)——1安培下45毫伏(mv)——和高电流增益。它们具有>8,000伏(v)的出色静电放电(esd)耐受性，可以在发生意外浪涌和损害的情况下进行自我保护。其电性能优越和温度系数低，提高了电源效率，并最终提高了电池电力保持能力。
sot-23是业内最受欢迎的封装之一，且价格最低。sot-563是最小的新型bjt封装(1.6mm×1.6mm×1.0mm)。两种wdfn封装为2.0mm×2.0mm，并且高度低，为0.7mm，是目前市场上便携式应用中的热效率最好的。3.0mm×2.0mm×1.0mm的chipfet的整体性能最佳。
这些器件理想应用于电源管理、电池充电、低压降稳压、振动马达、led背光、磁盘驱动控制、照相机闪光灯以及低降压/升压转换器。
封装及定价
完整的低vce(sat)bjt系列备有多种行业领先的封装，包括sot-23、sot-563、wdfn、chipfet、sc-88、sc-74和tsop-6。每10,000片的批量单价由0.18到0.40美元不等。
