Micron 35亿美金押宝NAND闪存

美国半导体厂商micron美光表示,他们将于2007年在nand闪存业务上投入35亿美金的巨资,以扩充生产nand闪存的设备之用。

产业分析师认为,美光之所以35亿美金巨资押宝nand闪存,一方面在于看好nand闪存在计算机产品、消费电子产品上的应用前景,另外,美光也希望借此在和三星电子、东芝等竞争对手的nand大战当中保持优势地位。

美光之前和intel合资成立im flash公司,目前的主营业务就是nand闪存。im flash公司的竞争对手包括三星、hynix、东芝以及部分台湾厂商。美光和intel希望合资公司在芯片工艺和产能上都不会输于竞争对手。im flash将在nand闪存工艺上率先釆用50nm工艺,在2008年底到2009年初,12英寸50nm nand产品将投入量产。

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:新闻动态