elpida memory开发信息传输速度提升2倍的新型ddr3 dram。记忆容量为512mb，信息传输速度每秒达1333mb，采用两电荷出入口、称为双闸极(dual gate)的晶体管方式，传输速度为刚开始普及的ddr 2的两倍，具有玩游戏时使影像更加顺畅等效益。
dual gate方式由于有两个电荷流入口，一个晶体管能流入的电荷为原来之两倍。elpida memory首次将此技术用在dram上，而提升了信息传输速度。动作电压1.5v，亦较现有产品减少0.3v。预计今年内开始样品出货。记忆容量方面，将持续朝1g、2g产品进行开发。
