《日本经济新闻》20日报导，电子大厂toshiba corp.(东芝)计划大举投资快闪内存(flash )产能，在2007年度将12英寸晶圆产量提高到15万片，较今年9月预定达成的目标攀升150%。
先前toshiba已与合作伙伴sandisk预定在2006年度退出之前投资2700亿日圆，这次计划再投资约2000亿日圆，可能会对掌控全球50%快闪内存市场的samsung electronics co.(三星电子)形成强力挑战。
toshiba与sandisk和三重县合资成立一座12英寸晶圆厂，自今年7月投产，每月产能达2500万片，并在9月升至1万片。加上另一座生产8英寸晶圆的产能，合计产量达到一年15万片。
每一12英寸晶圆约可生产500颗flash，toshiba希望将每片晶圆可生产的内存数量提升，借此削减每年生产成本35-40%。
报导指出，toshiba也会将制程由当前的90纳米升级至70纳米，2006年夏季前再升至55纳米，为全球最细微。预估在2006年度退出前，55纳米产品占整体flash 产量可达1/3。
toshiba估计，全球2004年度nand快闪内存市场规模约7450亿日圆，2008年度可增长至2兆日圆。 toshiba和sandisk合计市占率不到40%，公司认为全球 nand市场将会发生激烈的价格战。
对于日经新闻这项报导，toshiba表示，当前还未做出提高资本支出的计划。公司发言人指出，toshiba 积极拓展此项业务，并表示未来3年投资半导体相关业务5500亿日圆的计划维持不变。
