继2004年11月宣布签订合资建厂协议后，意法半导体(st)与海力士半导体(hynix)近日在江苏省无锡市举行了存储器芯片前端制造厂的奠基典礼。合资厂计划总投资20亿美元，意法半导体和海力士半导体的投资比例为1/3对2/3。
新的芯片制造厂将制造dram存储器和nand闪存芯片，今年年底以前，预计一条8英寸生产线开始生产，在生产初期，先将制造工艺从目前海力士半导体位于韩国的制造厂稳定地转移到新厂。不久之后，一条12英寸的芯片生产线将会在2006年年底开始生产。
双方表示，这个合资企业是st与海力士的成功合作关系的合理延伸，它将使合资双方率先进入快速增长的中国市场。特别是，新的芯片制造厂能够让st使用低成本、高性能的dram，从而进一步提高在mcp(多片封装)堆叠式存储器和sip(系统级封装)解决方案上的全球领先水平。
意法半导体总裁兼首席执行官carlo bozotti评价这家新合资厂时说：“这个合资企业的建立将进一步加强意法半导体在中国这个全球增长最快的半导体市场中的综合实力，在优势互补的制造工艺和产品开发上，意法半导体与海力士半导体达成了卓有成效的合作，因此，我们在无锡建立了这个新的合资企业。st已经是中国第二大半导体供应商，新的制造厂将会提高st在中国以至于全球的竞争力。”
