Samtec公司新增数条RF产品线,包括MMCX、MCX和SMA三种连接器,可为设计师提供多个端接..

5月20日消息,三星电子昨天宣布开发出了首款应用90纳米技术的512mb xdr dram样品,这是目前多媒体应用领域速度最快的存储器。

  三星该款512mb xdr dram能够以每秒高达9.6gb的速度传输数据,其传输速度是ddr400存储器的12倍,同时也是目前最快的rdram (pc 800)存储器的6倍。它应用了先进的90纳米技术,能够在1.8伏的工作电压下,达到最高每秒4.8gb的运行速度。

这款存储器的目标市场,集中在需要先进数字成像以及3d制图的高性能宽带应用领域,例如最新的游戏引擎、数字电视、高端服务器以及高级工作站。

  索尼公司的计算机娱乐部门将选择三星的xdr dram,并将其应用于下一代的电脑游戏系统ps3之上。

  三星半导体部门存储器市场副总裁yeong ho kang先生表示:“我们同索尼公司的计算机娱乐部门通力合作,满足其ps3发布的基本需求:具备最理想热效能的极速系统存储器。”

  三星的xdr dram采用了基于rambus公司的xdr存储器接口技术。该技术能够满足各种规格的数据输入和输出需求,并且适用于x2, x4, x8 和x16多种配置。

  根据市场研究公司idc的调查,在接下来的四年之内(从2006年到2009年),xdr dram市场将会稳步地增长,内存产量将达到8亿个256mb。

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:新闻动态