3月21日消息，据dram模块制造商透露，三星电子将于4月初提前量产其8g mlc nand（与非）闪存，预计4月底即可供货。
据digitimes报道，该日期要早于三星公司此前的预期。三星存储产品部门副总裁kim il-ung去年10月份曾表示，公司计划于2005年第四季度量产这种8g的nand闪存。
三星公司表示，他们将在短期内将产品样本提供给合作伙伴。据悉，该闪存产品基于60纳米、12英寸硅晶圆制造工艺。
据业内消息称，在推出8gnand闪存后的数月内，三星还将推出16g mlc nand闪存。按照原计划，三星本应于2007年推出该产品。
据调查结果显示，三星目前拥有nand闪存市场65％的份额。
