美光科技公司(micron technology)日前宣布发运其生产的首批2gb nand闪存产品，完成了其进入nand市场的入门战略目标。随着手机和大存储量应用对内存需求的增加，nand闪存已成为发展最快的半导体领域之一。
美光的2gb nand闪存是以90纳米工艺技术制造的，并且已经通过用许多主要的nand控制器来校验应用这些控制器的已有的2gb nand设备的插入(drop-in)兼容性，目标是闪存卡、usb设备、大存储量设备以及移动应用市场。
web-feet research有限公司的alan niebel说：“预计nand市场2004年的收益将达到70亿美元，2005年将达到87亿美元，可以将其定位为发展最快的内存市场。作为首个推出2gb nand产品的公司之一，美光进入这一设备市场的时机恰好是容量驱动器过渡到2gb密度排列的时候。”
美光公司的移动内存市场高级主管achim hill说：“仅仅在18个月内，我们就由首次设计进入到在一个先进的加工工艺点使用全新的技术进行量产。为了让我们的客户尽快的进行他们的产品开发，我们提供了他们所要求的密度、功耗、封装、模型、参考代码以及兼容的控制器。随着加工工艺技术计划由90纳米过渡到72纳米以及58纳米，我们的发展蓝图将继续从结构、密度、封装以及五金|工具方面来支持我们客户的下一代产品。”
美光现已量产他们的2gb nand闪存，预计整个2005年都会增加产量以满足持续增长的客户需求。
（转自 国际电子商情）
