英飞凌70纳米DRAM研发成功

近日，英飞凌(infineon)宣布该公司在内存蚀刻技术上取得了重大突破，采用深度沟槽（deep trench）的下一代dram已经研发成功。

　　据悉，新一代dram将采用70nm工艺。infineon表示，采用70nm技术后，集成电路板的尺寸将较目前的产品减小30％，希望通过70nm技术进一步提高300mm晶圆体内存颗粒的容量和产量。