mram存储芯片的开发已历经多年，但尚未取得突破性进展，这部分的归咎于很少有投资人愿意为实验室投入数亿美元，用于开发mram芯片。包括crocus、everspin和gradis等数家公司都在大力推进mram芯片的开发。crocus在本周便获得了来自俄罗斯政府的2.45亿美元投资，因为该国政府正寻求把通过出售石油获得的资金投入到高科技项目当中。
在签订该协议之前，一些美国投资人曾在一年前前往俄罗斯。在他们当中，包括了风险投资公司sofinnova ventures合伙人埃里克·布阿特斯（eric buatois）。sofinnova ventures是crocus的投资人之一，在访问期间，布阿特斯曾与俄罗斯国有投资公司rusnano进行过接触。在随后的一年时间里，布阿特斯与rusnano进行了很多次的接触，并最终促成了rusnano对crocus的投资。在本轮融资结束之后，crocus已总共募集到3亿美元资金。 深圳市粤科达电子限公司
rusnano目前已对大约100个项目投入了45亿美元资金。
俄罗斯政府已向一家名为crocus的美国硅谷芯片公司投入2.45亿美元资金。crocus正在开发基于mram（磁性随机存储）存储技术的芯片，许多业内人士都认为，mram很快将会取代现有的dram和闪存芯片。
mram存储技术当前被业内密切关注，因为该技术被认为将取代当前从智能手机到工业机器人所使用的所有存储芯片。mram是一种非挥发性的磁性随机存储器，关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与闪存雷同，而写入速度比闪存快。mram的这些特点让人们把它看做是潜在的“通用”芯片：一旦开发完成，mram将会有潜力统治存储芯片市场。
