三星系统芯片部表示，14纳米finfet制程技术可提升电子装置效能并降低耗电量，进一步改善行动环境，这也是ibm之后，第2家搭载安谋处理器架构，试产成功的14纳米finfet测试芯片。
晶圆代工行动装置芯片商机大，finfet技术可以解决不断微缩的纳米芯片的漏电问题。三星原本预计14纳米finfet于2014年量产，与台积电规划的16纳米finfet同步。随着三星14纳米finfet试产芯片推出，半导体业者认为，三星finfet不排除提前半年量产。
台积电面临三星来势汹汹的竞争外，格罗方德9月也宣布推出以finfet导入的14纳米元件，预计2013年底进入客户试产阶段，2014年正式量产；联电则预计2014年试产。
台积电为了防堵竞争对手，预计使用安谋首款64位元处理器「v8」来测试16纳米finfet制程，预计明年11月推出首款测试芯片，最快2014年量产。台积电南科14厂将作为第1个量产16纳米finfet基地，再下一个世代的10纳米finfet制程，预计于2015年底推出。
三星21日宣布成功试产第1颗导入3d鳍式场效晶体管（finfet）的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。
韩联社报导，三星与安谋（arm）、益华（cadence）、明导（mentor）与新思（synopsis）共同合作，成功试产出旗下第1颗采用finfet技术的14纳米测试芯片。
http://xyc111.51dzw.com/
